1，怎么用bios設(shè)置內(nèi)存我要具體的操作步驟2，bios中內(nèi)存頻率如何設(shè)置3，bios里面怎么設(shè)置內(nèi)存4，bios里的虛擬內(nèi)存怎么設(shè)1，怎么用bios設(shè)置內(nèi)存我要具體的操作步驟 bios 設(shè)置內(nèi)存 ? 你說的是 把667設(shè)置成 533 或者是400吧? 在bios里面找到 ddr 667 字樣 然后下調(diào) 條到 533 或 400sdram cas latency time（內(nèi)存cas延遲時間） 可選項：2，3。內(nèi)存cas（column address strobe，列地址選通脈沖）延遲時間控制sdram內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。在133mhz頻率下，品質(zhì)一般的兼容內(nèi)存大多只能在cas=3下運行，在cas=2下運行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無法啟動。cas延遲時間是一個非常重要的內(nèi)存參數(shù)，對電腦性能的影響比較大，intel與via就pc133內(nèi)存規(guī)范的分歧也與此參數(shù)有關(guān)，intel認為pc133內(nèi)存應(yīng)能穩(wěn)定運行于133mhz頻率、cas=2下，而via認為pc133內(nèi)存能穩(wěn)定運行于133mhz頻率即可，并未特別指定cas值，因此intel的規(guī)范更加嚴格，一般只有品牌內(nèi)存才能夠滿足此規(guī)范，所以大家感覺intel的主板比較挑內(nèi)存。 sdram cycle time tras/trc（內(nèi)存tras/trc時鐘周期）可選項：5/7，7/9。該參數(shù)用于確定sdram內(nèi)存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數(shù)。tras代表sdram行激活時間（row active time），它是為進行數(shù)據(jù)傳輸而開啟行單元所需要的時鐘周期數(shù)。trc代表sdram行周期時間（row cycle time），它是包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個過程所需要的時鐘周期數(shù)。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為5/7，這時內(nèi)存的速度較快，但有可能出現(xiàn)因行單元開啟時間不足而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r，在sdram內(nèi)存的工作頻率高于100mhz時尤其是這樣，即使是品牌內(nèi)存大多也承受不了如此苛刻的設(shè)置。sdram ras-to-cas delay（內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間）可選項：2，3。該參數(shù)可以控制sdram行地址選通脈沖（ras，row address strobe）信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對sdram進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于最佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2，如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運行則可將該參數(shù)設(shè)為3。（^23030501a^）sdram ras precharge time（內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間）可選項：2，3。該參數(shù)可以控制在進行sdram刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時鐘周期數(shù)。將預(yù)充電時間設(shè)為2可以提高sdram的性能，但是如果2個時鐘周期的預(yù)充電時間不足，則sdram會因無法正常完成刷新操作而不能保持數(shù)據(jù)步驟很少 但是選項和定義很多 建議你自己研究主板說明書
2，bios中內(nèi)存頻率如何設(shè)置 內(nèi)存的頻率是不可更改的，便是可以超頻。下面簡單介紹一下。nbsp;1．內(nèi)存同步超頻nbsp;對于內(nèi)存超頻而言，根據(jù)不同主板，可以采用不同的超頻方案，同時內(nèi)存超頻又與cpu有著直接或間接的關(guān)系，一般來說，內(nèi)存超頻的實現(xiàn)方法有兩種：一是內(nèi)存同步，即調(diào)整cpu外頻并使內(nèi)存與之同頻工作；二是內(nèi)存異步，即內(nèi)存工作頻率高出cpu外頻。nbsp;首先我們說說內(nèi)存同步超頻，我們知道，在一般情況下，cpu外頻與內(nèi)存外頻是一致的，所以在提升cpu外頻進行超頻時，也必須相應(yīng)提升內(nèi)存外頻使之與cpu同頻工作，比如我們擁有一個平臺，cpu為athlonnbsp;xpnbsp;1800+、kt600主板、ddr266內(nèi)存。athlonnbsp;xpnbsp;1800+默認外頻為133mhz、默認倍頻為11.5，主頻為1.53g，由于athlonnbsp;xpnbsp;1800+倍頻被鎖定了，只能通過提升外頻的方法超頻，假如將athlonnbsp;xpnbsp;1800+外頻提升到166mhz，此時cpu主頻為166mhz×11.5≈1.9ghz。由于cpu外頻提高到了166mhz，假如你使用的是ddr333以上規(guī)格內(nèi)存，那么將內(nèi)存頻率設(shè)置為166mhz屬于標準頻率下工作，但這里使用的是ddr266內(nèi)存，為了滿足cpu超頻需求，內(nèi)存也必須由原來的ddr266（133mhz）超頻到ddr333（166mhz）使用。nbsp;具體方法是進入bios設(shè)置，找到“advancednbsp;chipsetnbsp;features”nbsp;選項，然后會看到一個“dramnbsp;clock”選項，將鼠標光標定位到這里并回車，然后會出現(xiàn)內(nèi)存頻率設(shè)置選項，在這里我們選擇“166mhz”并回車，保存設(shè)置并退出即實現(xiàn)了內(nèi)存同步超頻。nbsp;需要注意的是，超頻后的內(nèi)存在非標準頻率下工作，如果內(nèi)存品質(zhì)不好，可能造成死機，所以內(nèi)存超頻還需要看內(nèi)存本身的品質(zhì)，一般而言，市場上普遍常見的現(xiàn)代（hyundai）、三星（samsung）兼容ddr內(nèi)存，其都不具備很好的超頻性能。nbsp;2．內(nèi)存異步超頻nbsp;在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運行速度與cpu外頻相同。而內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33mhz或3:4、4:5（內(nèi)存:外頻）的頻率上，這樣可以緩解超頻時經(jīng)常受限于內(nèi)存的“瓶頸”。nbsp;對于支持sdram內(nèi)存的老主板而言（如815系列），在支持內(nèi)存異步的主板bios中，可以在“dramnbsp;clock”下找到“hostnbsp;clock”、“hclk-33m”、“hclk+33m”三個模式。其中hostnbsp;clock為總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步，hclk-33m表示總線頻率減少33m，而hclk+33m可以使內(nèi)存的工作頻率比系統(tǒng)外頻高出33mhz，比如將賽揚1.0g外頻從100mhz超到125mhz，而你的內(nèi)存為pc133規(guī)格（即標準外頻為133mhz），此時在bios的“dramnbsp;clock”下選擇“hclk+33m”，可以讓賽揚1.0g工作在125mhz外頻下，而內(nèi)存卻可以在133mhz頻率下運行，充分挖掘內(nèi)存的超頻潛力并提升系統(tǒng)性能。nbsp;而對于支持ddr內(nèi)存的老主板而言（如845g芯片組），intel規(guī)定845g只支持ddr266（133mhz×2）內(nèi)存，不過有的品牌845g主板在bios中加入內(nèi)存異步功能，在bios中按照4:5的比例進行設(shè)置，可以讓內(nèi)存運行在166mhz，從而支持ddr333（166mhz×2），并使內(nèi)存帶寬提升到2.66gb/s。具體操作方式是：進入bios設(shè)置中，進入“advancednbsp;chipsetnbsp;features”的“dramnbsp;timingnbsp;setting”選項，然后進入“dramnbsp;frequency（內(nèi)存頻率）”選項，在這里可以看到266mhz、320mhz、400mhz、500mhznbsp;auto等選項，直接選中“320mhz”即可。nbsp;一般來說amd的u同步比異步工作要好，而intel就不然.nbsp;3．增加電壓幫助超頻nbsp;內(nèi)存頻率提升了，所以內(nèi)存功耗也隨之增加，但在默認情況下，主板bios中內(nèi)存電壓參數(shù)是被設(shè)置為內(nèi)存標準頻率的數(shù)值，通常來說，為了確保內(nèi)存超頻的穩(wěn)定性，我們需要增加內(nèi)存電壓，很多主板bios設(shè)置中都提供了內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)功能，同時內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)級別一般以0.05v或0.1v為檔次逐漸調(diào)節(jié)，內(nèi)存電壓參數(shù)調(diào)節(jié)越細微，對超頻越
3，bios里面怎么設(shè)置內(nèi)存 above 1mb memory test：設(shè)置開機自檢時是否檢測1m以上內(nèi)存。該選項已經(jīng)在新的bios中被淘汰。由于內(nèi)存價格暴跌，電腦用戶安裝內(nèi)存容量陡然增加，開機時的大容量內(nèi)存自檢時間太長，今后，即使一遍的內(nèi)存檢測可能也會出現(xiàn)允許/禁止開關(guān)。 auto configuration：設(shè)置為允許時，bios按照最佳狀態(tài)設(shè)置。bios可以自動設(shè)置內(nèi)存定時，因此會禁止一些對內(nèi)存設(shè)置的修改，建議選擇允許方式。 memory test tick sound：是否發(fā)出內(nèi)存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩，可以關(guān)閉它們。 memory parity error check：設(shè)置是否要設(shè)置內(nèi)存奇偶校驗。多在30線內(nèi)存條使用時代，已經(jīng)被淘汰。但把非奇偶校驗內(nèi)存強行進行奇偶校驗設(shè)置會使電腦無法開機。 cache memory controller：是否使用高速緩存。不在流行的award bios中使用。 shadow ram option：設(shè)置系統(tǒng)bios或顯示卡bios是否映射到常規(guī)內(nèi)存中。可以加快速度，但也可能造成死機。 internal cache memory：是否使用cpu內(nèi)部緩存(一級緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。 external cache memory：是否使用cpu外部緩存(主板上的二級緩存)?？梢蕴岣呦到y(tǒng)性能。amd新的具有兩級緩存的cpu的出現(xiàn)，使主板上的二級緩存退居成三級緩存。 concurrent refresh：直譯是同時發(fā)生的刷新。設(shè)置cpu在對其它i/o操作時對內(nèi)存同時刷新，可以提高系統(tǒng)性能。 dram read wait state：設(shè)置cpu從內(nèi)存讀數(shù)據(jù)時的等待時鐘周期。在內(nèi)存比cpu慢時可

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